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| LED行业含镓固体废弃物资源化的基础研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 方升
  收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/06/17
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| MOCVD法制备Cu、Co、Ni催化剂及其在合成GVL中的应用 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者: 张罗云
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/02
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| V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 付英昊
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2019/09/23
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| 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 韩五月
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/09/23
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| MOCVD制备纳米ZnO薄膜及掺杂研究 学位论文
2018
作者: 李海山
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 沉积温度对MOCVD制备ZnO纳米薄膜性质的影响 期刊论文
兰州理工大学学报, 2018, 期号: 2018年03期, 页码: 30-33
作者: 于富成; 李海山; 胡海龙; 宋天云; 许博宇
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/11/13
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| 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文
半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501
作者: 黄波; 许金通; 王玲; 张燕; 李向阳
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2018/11/20
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| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2016/05/31
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| 半导体激光器用外延片 专利
专利号: CN204927806U, 申请日期: 2015-12-30, 公开日期: 2015-12-30
作者: 马淑芳; 田海军; 吴小强; 梁建; 董海亮
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 半导体激光器用外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105071223A, 申请日期: 2015-11-18, 公开日期: 2015-11-18
作者: 马淑芳; 田海军; 吴小强; 梁建; 董海亮
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
