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宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/29
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13
增强型氮化镓功率器件的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2021, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 444-448
作者:  陈思远1,2,3;  于新1,2;  陆妩1,2;  王信1,2;  李小龙1,2
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2021/11/10
不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  陈思远
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/11/19
氮化镓基纳米异质结的制备及光解水特性 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  席鑫
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/08/05
一种制备氧化锌微米管的方法 专利
专利号: 2015104931632, 申请日期: 2020-03-31,
作者:  王亮;  陆文强;  冯双龙;  李昕;  李振湖
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/08/25
第三代半导体材料发展态势分析 专著
北京:电子工业出版社, 2020
作者:  王丽;  沈湘;  于杰平;  金瑛;  滕飞
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/11/04
一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器 专利
专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者:  张保平;  许荣彬;  梅洋;  应磊莹;  郑志威
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/24
一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者:  蔡玮;  韩冰;  王新迪
收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN基激光器及其制备方法 专利
专利号: CN107204567B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者:  赵德刚;  梁锋
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26

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