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GaInPSb和InAsSb合金纳米线的合成及光电性质研究 学位论文
: 湖南大学, 2017
作者:  徐亚丹
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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2016/09/12
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
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