背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟

doi:10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.007

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	背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟
	黄波; 许金通; 王玲; 张燕; 李向阳
刊名	半导体光电
	2017
期号	4 页码:498-501
关键词	InGaN p-i-n 紫外探测器制备数值模拟
DOI	10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.007
英文摘要	研究了背照式InGaN p-i-n结构的紫外探测器的制备与数值模拟.通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长p-GaN/i-InGaN/n-GaN外延片,采用标准的Ⅲ-Ⅴ族器件制备工艺,成功制备出p-i-n结构的InGaN紫外探测器.探测器台面半径为30 μm,在-5V偏压下暗电流为-6.47×10 1 2 A,对应的电流密度为2.29×10-7 A/cm2.该探测器响应波段为360～380 nm,在371 nm处达到峰值响应率为0.21 A/W,对应的外量子效率为70％,内量子效率为78.4％.零偏压下,优值因子R0A=5.66×107 Ω·cm2,对应的探测率D* =2.34×1013 cm·Hz1/2·W-1.同时,利用Silvaco TCAD软件进行数值模拟,响应率曲线仿真值与实验值拟合较好
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12123]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	黄波,许金通,王玲,等. 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟[J]. 半导体光电,2017(4):498-501.
APA	黄波,许金通,王玲,张燕,&李向阳.(2017).背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟.半导体光电(4),498-501.
MLA	黄波,et al."背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟".半导体光电 .4(2017):498-501.