QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Structural and optical properties of 3d growth multilayer ingan/gan quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428 作者:  Han, XX;  Chen, Z;  Li, DB;  Wu, JJ;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructure  Optical microscopy  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides   Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428 作者:  Li DB;  Han XX;  Han PD 收藏  |  浏览/下载：161/51  |  提交时间：2010/03/09 nanostructure   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic gan films on gaas(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 作者:  Sun, XL;  Wang, YY;  Yang, H;  Li, JB;  Zheng, LX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan  Hexagonal phase content  4-circle x-ray double crystal diffraction   Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic gan films on gaas(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401 作者:  Sun, XL;  Yang, H;  Wang, YT;  Zheng, LX;  Xu, DP 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Iii-v semiconductor mocvd rheed  Xrdcd   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic GaN films on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 III-V semiconductor MOCVD RHEED  XRDCD  SAPPHIRE   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE