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Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps 专利
专利号: WO2012125997A3, 申请日期: 2013-01-03, 公开日期: 2013-01-03
作者:  JOHNSON, RALPH, H.;  TATUM, JIMMY, ALAN;  MACINNES, ANDREW, N.;  WADE, JEROME, K.;  GRAHAM, LUKE, A.
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Method of producing semiconductor optical device 专利
专利号: US7772023, 申请日期: 2010-08-10, 公开日期: 2010-08-10
作者:  HIRATSUKA, KENJI
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Oxygen-doped Al-containing current blocking layers in active semiconductor devices in photonic integrated circuits (PICs) 专利
专利号: US7208770, 申请日期: 2007-04-24, 公开日期: 2007-04-24
作者:  KISH, JR., FRED A.;  HURTT, SHEILA;  JOYNER, CHARLES H.;  SCHNEIDER, RICHARD P.
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Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride 专利
专利号: US7118929, 申请日期: 2006-10-10, 公开日期: 2006-10-10
作者:  FRAYSSINET, ERIC;  BEAUMONT, BERNARD;  FAURIE, JEAN-PIERRE;  GIBART, PIERRE
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Method for producing a semiconductor laser diode 专利
专利号: WO2004023535A1, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2004-03-18
作者:  CHALY, VIKTOR PETROVICH;  POGORELSKY, YURY VASILIEVICH;  ALEXEEV, ALEXEI NIKOLAEVICH;  KRASOVITSKY, DMITRY MIKHAILOVICH;  SHKURKO, ALEXEI PETROVICH
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Ridge laser with oxidized strain-compensated superlattice of group III-V semiconductor 专利
专利号: US6407407, 申请日期: 2002-06-18, 公开日期: 2002-06-18
作者:  JOHNSON, FREDERICK G.;  KOLEY, BIKASH;  WASICZKO, LINDA M.
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Quantumwellhalbleiterlaser und Herstellungsverfahren 专利
专利号: DE69509962D1, 申请日期: 1999-07-08, 公开日期: 1999-07-08
作者:  LEBBY MICHAEL S. APACHE;  TEHRANI SAIED N. SCOTTSDALE ARIZONA
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Ii-vi laser diodes with quantum wells grown by atomic layer epitaxy and migration enhanced epitaxy 专利
专利号: AU1993043788A1, 申请日期: 1993-12-30, 公开日期: 1993-12-30
作者:  CHENG, HWA;  DEPUYDT, JAMES M;  HAASE, MICHAEL A;  QIU, JUN
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Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利
专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
作者:  EPLER, JOHN E.;  TREAT, DAVID W.;  PAOLI, THOMAS L.
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Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy 专利
专利号: US4261771, 申请日期: 1981-04-14, 公开日期: 1981-04-14
作者:  DINGLE, RAYMOND;  GOSSARD, ARTHUR C.;  PETROFF, PIERRE M.;  WIEGMANN, WILLIAM
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