QQ客服 官方微博 反馈留言

	Quantumwellhalbleiterlaser und Herstellungsverfahren
	LEBBY MICHAEL S. APACHE; TEHRANI SAIED N. SCOTTSDALE ARIZONA
	1999-07-08
著作权人	MOTOROLA,INC.
专利号	DE69509962D1
国家	德国
文献子类	授权发明
其他题名	Quantumwellhalbleiterlaser und Herstellungsverfahren
英文摘要	A semiconductor laser comprises: a GaAs active layer that forms a quantum well; and a spatial distribution of InAs monolayers within the active layer wherein a band gap within the active layer is approx. 4 to 7 eV. Approx. 60% of the InAs monolayers are grouped near a point corresponding to where a sum of an electron effective wave function and a hole effective wave function has a min. value; approx. 40% are grouped near outer edges of the quantum well. The InAs monolayers comprise at least 25% of a thickness of the active layer; a graded cladding layer is provided adjacent the active layer.
公开日期	1999-07-08
申请日期	1995-03-10
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46159]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MOTOROLA,INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	LEBBY MICHAEL S. APACHE,TEHRANI SAIED N. SCOTTSDALE ARIZONA. Quantumwellhalbleiterlaser und Herstellungsverfahren. DE69509962D1. 1999-07-08.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。