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Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 120, 页码: 389-394
作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Fu, Chen;  Lv, Yuanjie
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/01
Plasma-assisted ohmic contact for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31
作者:  Zhang, Jiaqi;  Wang, Lei;  Wang, Qingpeng;  Jiang, Ying;  Li, Liuan
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Reduction of leakage current by O-2 plasma treatment for device isolation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 351, 页码: 1155-1160
作者:  Jiang, Ying;  Wang, Qingpeng;  Zhang, Fuzhe;  Li, Liuan;  Zhou, Deqiu
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GaN场效应晶体管的器件隔离技术 会议论文
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30
作者:  江滢;  敖金平;  王德君
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Enhancement-mode ZnO/Mg0.5Zn0.5O HFET on Si 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 47, 期号: 25
Ye, DQ; Mei, ZX; Liang, HL; Li, JQ; Hou, YN; Gu, CZ; Azarov, A; Kuznetsov, A; Hong, WC; Lu, YC; Du, XL
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Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask 期刊论文
ieee electron device letters, 2014
Xu, Zhe; Wang, Jinyan; Liu, Jingqian; Jin, Chunyan; Cai, Yong; Yang, Zhenchuan; Wang, Maojun; Yu, Min; Xie, Bing; Wu, Wengang; Ma, Xiaohua; Zhang, Jincheng; Hao, Yue
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10
Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B：英文版, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 394-398
作者:  曹芝芳[1];  林兆军[1];  吕元杰[1];  栾崇彪[1];  王占国[2]
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影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素 期刊论文
微纳电子技术, 2011, 期号: 04, 页码: 225-229
作者:  张明华;  林兆军;  李惠军;  申艳芬;  魏晓珂
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
Threshold voltage of AlGaN/GaN HFET 期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: SUPPL., 页码: 422-425
作者:  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jianzhi;  Zhang, Min
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