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GaN基增强型HEMT器件制备研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  牛迪
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2021/06/21
增强型氮化镓功率器件的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2021, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 444-448
作者:  陈思远1,2,3;  于新1,2;  陆妩1,2;  王信1,2;  李小龙1,2
收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2021/11/10
不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  陈思远
收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2020/11/19
氧化锌气敏机制的研究及传感器信号放大的应用 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  周新愿
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/06/17
一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-18
作者:  黄火林;  李飞雨;  陶鹏程;  孙仲豪;  曹亚庆
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/02
增强型GaN器件特性分析及其在高频功率变换器应用中的关键问题研究 学位论文
2018
作者:  王康平
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/11/26
基于物理机理的增强型氮化镓器件行为模型及开关瞬态特性研究 学位论文
2018
作者:  谢瑞良
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/11/26
基于高阶共振模式的金属表面等离子体增强型ZnO紫外探测器的制备和研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  王潇
收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2019/09/23
绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 期刊论文
电力电子技术, 2017
作者:  黄森;  康玄武;  王鑫华;  刘新宇
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2018/05/15
一种收发一体的光电集成芯片 专利
专利号: CN105807378B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  刘凯;  任晓敏;  黄永清;  王琦;  段晓峰
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/24


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