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| 3 300 V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制 期刊论文
大功率变流技术, 2016
作者: 高云斌; 吴煜东; 申华军 ; 彭朝阳; 刘新宇
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2017/05/08 |
| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2016/06/01
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| 1 200 V/30 A SiC MOSFET的结构设计与特性仿真 期刊论文
2015, 卷号: 3, 页码: 1154-1158
作者: 杨勇; 封先锋; 林涛; 臧源; 蒲红斌
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 钨电极与氧化锌纳米线接触的电学特性 期刊论文
2012, 2012
吉元
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/06/16 |
| 硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101303366, 申请日期: 2008-11-12, 公开日期: 2008-11-12
李昕欣; 贾孟军; 王跃林
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2016/08/30 |
