| GaN场效应晶体管的器件隔离技术 | |
| 江滢; 敖金平; 王德君 | |
| 2015 | |
| 会议名称 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 |
| 会议日期 | 2015-10-30 |
| 会议地点 | 苏州 |
| 关键词 | 氮化镓 器件隔离 场隔离 AlGaN/GaN HFET GaN MOSFET |
| 页码 | 273-274 |
| 会议录 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4412196 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁大连,116024 2.德岛大学先端技术科学教育部,日本德岛,770-8506 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江滢,敖金平,王德君. GaN场效应晶体管的器件隔离技术[C]. 见:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议. 苏州. 2015-10-30. |
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