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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [8]
会议论文 [2]
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2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [4]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Electronic energy levels in an asymmetric quantum-dots-in-a-well structure for infrared photodetectors
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2645-2648
作者:
Xu B
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浏览/下载:42/4
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提交时间:2010/03/08
ABSORPTION
Magnetic resonant cavity composing of a three layered plasmonic nanostructure
会议论文
international workshop on metamaterials, nanjing, peoples r china, nov 09-12, 2008
Chen JJ
;
Fan ZC
;
Yang FH
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
Magnetic resonant
Design, fabrication, and characterization of an ultracompact low-loss photonic crystal corner mirror
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2007, 卷号: 43, 期号: 9-10, 页码: 876-883
Yu HJ (Yu Hejun)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Yu Y (Yu Yude)
;
Fan ZC (Fan Zhong-Chao)
;
Chen SW (Chen Shaowu)
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2010/03/29
corner mirror
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
QE and Suns-V-oc study on the epitaxial CSiTF solar cells
期刊论文
science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52
Bin A
;
Shen H
;
Ban Q
;
Liang ZC
;
Chen RL
;
Shi ZR
;
Liao XB
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
SSP ribbon
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325
作者:
Li DB
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
substrate
heteroepitaxy
low pressure chemical vapor deposition
semiconducting silicon carbide
COMPLIANT SUBSTRATE
CRITICAL THICKNESS
SILICON
RELAXATION
MECHANISM
DEFECTS
LAYERS
Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959
作者:
Xu B
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/08/12
RELAXATION
SI
HETEROSTRUCTURES
KINETICS
In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130
作者:
Xu B
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
dislocation
interfaces
strain
molecular beam epitaxy
semiconductor IIIV materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
TECHNOLOGY
GAAS(001)
BEHAVIOR
SI
Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76
作者:
Li DB
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
dislocation
strain
molecular beam epitaxy
organometallic vapor phase epitaxy
semiconductor III-V materials
CRITICAL THICKNESS
HETEROEPITAXIAL GROWTH
LAYERS
OXIDATION
EPITAXY
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