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内容类型
期刊论文 [28]
发表日期
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2014 [1]
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学科主题:Physics
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Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
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浏览/下载:127/0
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提交时间:2020/12/16
INVERSION DOMAIN BOUNDARIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
C-GAN DOMAINS
GALLIUM NITRIDE
N-POLARITY
2ND-HARMONIC GENERATION
SURFACE-MORPHOLOGY
GAAS FILMS
GROWTH
ALN
Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112
作者:
Tao, P
;
Huang, L
;
Cheng, HH
;
Wang, HH
;
Wu, XS;王焕华
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/04/08
GeSn films
high resolution X-ray diffraction
fully-strained
Raman measurements
Low-temperature (< 300 degrees C) growth and characterization of single-[100]-oriented Mn-Co-Ni-O thin films
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2013, 卷号: 107, 期号: 9, 页码: 103-106
作者:
Ji Guang
;
Chang Aimin
;
Xu Jinbao
;
Zhang Huimin
;
Hou Juan
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/11/07
Thin films
Negative temperature coefficient thermistor
Structural properties
Electrical properties
Growth and phase transition characteristics of pure M-phase VO2 epitaxial film prepared by oxide molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 13, 页码: 131914
作者:
Fan, LL
;
Chen, S
;
Wu, YF
;
Chen, FH
;
Chu, WS
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/04/08
Low-temperature (< 300 degrees C) growth and characterization of single-[100]-oriented Mn-Co-Ni-O thin films
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2013, 卷号: 107, 期号: 9, 页码: 103-106
作者:
Ji Guang
;
Chang Aimin
;
Xu Jinbao
;
Zhang Huimin
;
Hou Juan
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/11/07
Thin Films
Negative Temperature Coefficient Thermistor
Structural Properties
Electrical Properties
Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 17, 页码: 171905
作者:
Wang, XQ
;
Liu, ST
;
Ma, DY
;
Zheng, XT
;
Chen, G
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/04/08
Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362
作者:
Wu D. Q.
;
Jia R.
;
Yao J. C.
;
Zhao H. S.
;
Chang A. M.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/11/07
High-kappa gate dielectrics
Leakage current density
Er(2)O(3)
Ni-Al-O
Diffusion barrier layer
Effect of Mg Doping on the Photoluminescence of GaN:Mg Films by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 67807
Sui, YP
;
Yu, GH
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Dislocation density and strain distribution in SrTiO3 film grown on (110) DyScO3 substrate
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 105307
作者:
Zhai, ZY
;
Wu, XS
;
Cai, HL
;
Lu, XM
;
Hao, JH
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2016/06/29
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: 13911
作者:
Lu, J
;
Meng, HJ
;
Deng, JJ
;
Xu, PF
;
Chen, L
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/29
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
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