×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [248]
西安光学精密机械... [117]
物理研究所 [75]
上海微系统与信息技... [14]
金属研究所 [13]
长春光学精密机械与... [13]
更多...
内容类型
期刊论文 [434]
专利 [114]
会议论文 [16]
学位论文 [4]
外文期刊 [3]
其他 [2]
更多...
发表日期
2011 [22]
2010 [29]
2009 [17]
2008 [10]
2007 [18]
2006 [34]
更多...
学科主题
半导体物理 [68]
半导体材料 [59]
光电子学 [11]
Physics [8]
Electroche... [5]
半导体化学 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共574条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Facet passivation process of high-power laser diodes by plasma cleaning and ZnO film
期刊论文
Applied Surface Science, 2022, 卷号: 596
作者:
Lan, Yu
;
Yang, Guowen
;
Zhao, Yuliang
;
Liu, Yuxian
;
Demir, Abdullah
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2022/06/08
Laser diodes
Facet passivation
High reliability
Enhanced performance of GaAs-based betavoltaic batteries by using AlGaAs hole/electron transport layers
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 30, 页码: 9
作者:
R. Z. Zheng
;
J. B. Lu
;
Y. Wang
;
L. Liang
;
Y. G. Zeng
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
收藏
  |  
浏览/下载:127/0
  |  
提交时间:2020/12/16
INVERSION DOMAIN BOUNDARIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
C-GAN DOMAINS
GALLIUM NITRIDE
N-POLARITY
2ND-HARMONIC GENERATION
SURFACE-MORPHOLOGY
GAAS FILMS
GROWTH
ALN
MBE growth of high quality InAsSb thin films on GaAs substrates with GaSb as buffer layers
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 542, 页码: 125688
作者:
Yong Li
;
Xiaoming Li
;
Ruiting Hao
;
Jie Guo
;
Yunpeng Wang
;
Abuduwayiti Aierken
;
Yu Zhuang
;
Faran Chang
;
Suning Cui
;
Kang Gu
;
Guoshuai Wei
;
Xiaole Ma
;
Guowei Wang
;
Yingqiang Xu
;
Zhichuan Niu
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2021/06/28
Ultrafast carrier relaxation dynamics of photoexcited GaAs and GaAs/AlGaAs nanowire array
期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2020, 卷号: 22, 期号: 44, 页码: 25819-25826
作者:
B. W. Zhang
;
Z. G. Nie
;
B. Wang
;
D. K. Wang
;
J. L. Tang
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2021/07/06
Stabilization of GaAs photoanodes by in situ deposition of nickel-borate surface catalysts as hole trapping sites
期刊论文
SUSTAINABLE ENERGY & FUELS, 2019, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 814-822
作者:
Jiang, Chaoran
;
Wu, Jiang
;
Moniz, Savio J. A.
;
Guo, Daqian
;
Tang, Mingchu
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2019/06/20
Epitaxial Growth and Magnetic Properties of NiMnAs FilmsonGaAs Substrates
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 017501
作者:
Jia-Lin Ma
;
Hai-Long Wang
;
Xing-Min Zhang
;
Shuai Yan
;
Wen-Sheng Yan
;
Jian-Hua Zhao
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2020/07/31
Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9
作者:
Jiang, Shanshan
;
He, Gang
;
Liu, Mao
;
Zhu, Li
;
Liang, Shuang
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2019/06/10
electrical properties
forming gas annealing
high-k gate dielectrics
interface chemistry
metal-oxide-semiconductor capacitors
Damage to epitaxial GaN layer on Al2O3 by 290-MeV U-238(32+) ions irradiation
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 4121
作者:
Zhang, L. Q.
;
Zhang, C. H.
;
Li, J. J.
;
Meng, Y. C.
;
Yang, Y. T.
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2018/05/31
ZnO Nanofiber Thin-Film Transistors with Low-Operating Voltages
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 1
作者:
Wang, Fengyun
;
Song, Longfei
;
Zhang, Hongchao
;
Meng, You
;
Luo, Linqu
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2018/04/02
Annealing
Electrospinning
Low-operating Voltage
Transistor
Zno Nanofiber
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace