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	Effects of InAlAs strain reducing layer on the photoluminescence properties of InAs quantum dots embedded in InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.03.048, 2014 Kong, Lingmin; Sun, Wei; Feng, Zhe Chuan; Xie, Sheng; Zhou, Yunqing; Wang, Rui; Zhang, Cunxi; Zong, Zhaocun; Wang, Hongxia; Qiao, Qian; Wu, Zhengyun; 吴正云收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2015/07/22 Energy barriers Indium arsenide Laser spectroscopy Molecular beam epitaxy Photoluminescence Semiconductor quantum dots
	Broadband Light Emission from Chirped Multiple InAs Quantum Dot Structure 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/0256-307X/30/11/118102, 2013 Lv Xue-Qin; Jin Peng; Chen Hong-Mei; Wu Yan-Hua; Wang Fei-Fei; Wang Zhan-Guo; 吕雪芹收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2015/07/22 SUPERLUMINESCENT DIODES EMITTING-DIODES SPECTRUM LASER PERFORMANCE BANDWIDTH
	Temperature dependent and time-resolved photoluminescence studies of InAs self-assembled quantum dots with InGaAs strain reducing layer structure 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.3159648, 2009 Kong, Lingmin; Feng, Zhe Chuan; Wu, Zhengyun; Lu, Weijie; 吴正云收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2015/07/22 1.3 MU-M RADIATIVE RECOMBINATION OPTICAL-PROPERTIES CAPPING LAYER EXCITONS EPITAXY EMISSION RELAXATION LIFETIMES SPECTRA
	Low-temperature direct wafer bonding of GaAs/InP 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2008.12.008, 2009 Xie, S.; Chen, S. Y.; Guo, W. L.; Mao, W.; 陈松岩收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2013/12/12 DIRECTLY-BONDED GAAS INP FUSION INTERFACE
	Photoluminescence characteristics of InAs self-assembled quantum dots in InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.2745410, 2007 Kong, Lingmin; Wu, Zhengyun; Feng, Zhe Chuan; Ferguson, Ian T.; 吴正云收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2015/07/22 MU-M
	Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 其他 2006-03-01 Kong, LM; Cai, JF; Wu, ZY; Gong, Z; Niu, ZC; Feng, ZC; 吴正云收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/07/22 1.3 MU-M DEPENDENT RADIATIVE DECAY THERMAL REDISTRIBUTION EXCITONS RECOMBINATION RELAXATION LIFETIMES EMISSION EPITAXY LASERS
	InAs自组织量子点的光学性质研究学位论文 2005, 2005 孔令民收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2016/02/14 InAs自组织量子点载流子光致发光谱寿命 InAs self-organized quantum dots cairriers photoluminescence spectra lifetime
	新的电调制反射谱技术及其应用期刊论文 2005 蔡加法; 陈主荣; 吴正云收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2011/04/26 微接触电调制反射谱（LCER）光调制反射谱（PR）量子阱 light-contact electroreflectance（LCER） photoreflectance（PR） quantum wells
	Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 13 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/37/7/010, 2004 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Kong, LM; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC; 许小红收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2015/07/22 PHOTOLUMINESCENCE LASER TEMPERATURE WAVELENGTH SEPARATION ISLANDS
	InGaAsN量子阱发光性质的研究学位论文 2004, 2004 林雪娇收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2016/02/14 InGaAsN QWs HRXRD PL InGaAsN量子阱 X-射线衍射光致发光

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