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沉积温度对MOCVD制备ZnO纳米薄膜性质的影响
期刊论文
兰州理工大学学报, 2018, 期号: 2018年03期, 页码: 30-33
作者:
于富成
;
李海山
;
胡海龙
;
宋天云
;
许博宇
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/13
金属有机化学金相沉积
化学气相沉积法
ZnO纳米薄膜
沉积温度
背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟
期刊论文
半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501
作者:
黄波
;
许金通
;
王玲
;
张燕
;
李向阳
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2018/11/20
InGaN
p-i-n
紫外探测器
制备
数值模拟
金属有机化学气相沉积薄膜制备中传热传质的数值模拟
期刊论文
上海大学学报(自然科学版), 2015, 卷号: 21, 页码: 732-741
作者:
蔡茜茜[1]
;
雷知迪[2]
;
丁珏[3]
;
翁培奋[4]
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/04/26
金属有机化学气相沉积
GaAs
薄膜生长速率
扩散边界层
数值模拟
“类金字塔”状ZnO改善硅异质结电池近红外波段外量子效率
期刊论文
人工晶体学报, 2015, 卷号: 第44卷, 页码: 311-315
作者:
王宁
;
王奉友
;
张晓丹
;
王利果
;
郝秋艳
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/03/01
ZnO∶B薄膜
金属有机化学气相沉积
外量子效率
异质结太阳电池
MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文)
期刊论文
人工晶体学报, 2015, 期号: 12
作者:
张恒
;
曲爽
;
王成新
;
胡小波
;
徐现刚
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/17
氮化镓
金属有机化学气相沉积法
翘曲度
MOCVD生长的GaN基LED的应力分析
期刊论文
人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 3811-3815
作者:
Zhang,Heng
;
Qu,Shuang
;
Wang,Chengxin
;
Hu,Xiaobo
;
Xu,Xiangang
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/17
氮化镓
金属有机化学气相沉积法
翘曲度
水平式MOCVD反应器分隔进口对化学反应路径和生长均匀性的影响研究
期刊论文
材料导报, 2015, 期号: S1, 页码: 102-105
作者:
师珺草[1]
;
徐楠[2]
;
左然[3]
;
赖晓慧[4]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/24
金属有机化学气相沉积
数值模拟
生长速率
均匀性
m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文)
期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 6, 页码: 678-683
作者:
王双鹏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/17
立方MgZnO
(110)取向
日盲紫外探测器
MOCVD
In_(0.82)Ga_(0.18)As材料的低温电学性质研究
期刊论文
低温物理学报, 2014, 期号: 6, 页码: 450-454
刘霞
;
曹连振
;
蒋红
;
宋航
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/04/17
In0.82Ga0.18As
变温霍尔效应
散射机制
MOCVD反应器的最佳输运过程及其优化设计
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=bdtx200806028&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2008, 2012, 2012
左然
;
李晖
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/06/19
金属有机化学气相沉积
薄膜生长
MOCVD反应器设计
输运现象
优化条件
MOCVD
thin film growth
transport phenomena
reactor design
optimum condition
TN304.054
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