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一种脊波导电极开窗的方法 专利
专利号: CN108847574A, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:  曲迪;  白国人;  陈墨;  靳春艳;  宋学颍
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一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法 专利
专利号: CN108493765A, 申请日期: 2018-09-04, 公开日期: 2018-09-04
作者:  薛正群;  吴林福生;  黄章挺;  杨重英;  邓仁亮
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电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者:  王俊;  胡海洋;  成卓;  杨泽园;  尹海鹰
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堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16
作者:  殷华湘;  秦长亮;  付作振;  马小龙;  陈大鹏
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堆叠纳米线制造方法 专利
专利号: CN201310007063.5, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-07-09
作者:  殷华湘;  马小龙;  秦长亮
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一种提高氮化镓基激光器性能的方法 专利
专利号: CN105048285B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平
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一种刻蚀方法 专利
专利号: CN201510996470.2, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2016-05-25
作者:  李俊杰;  李俊峰;  杨清华;  刘金彪;  贺晓彬
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降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利
专利号: CN104300366B, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
作者:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平
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同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 专利
专利号: CN104300365B, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2018-01-02
作者:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平
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垂直腔面发射激光器的模式控制研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  向磊
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