同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 | |
李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 | |
2018-01-02 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN104300365B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 |
英文摘要 | 一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3:在刻蚀成脊型上生长一层氧化模,并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极;步骤4:将砷化镓衬底减薄、清洗,并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极,形成激光器;步骤5:进行解理,在激光器的腔面镀膜,最后封装在管壳上,完成制备。本发明可以提高激光器激射的单模特性,提高光束质量。 |
公开日期 | 2018-01-02 |
申请日期 | 2014-10-21 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49259] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法. CN104300365B. 2018-01-02. |
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