堆叠纳米线制造方法

	堆叠纳米线制造方法
	殷华湘; 马小龙; 秦长亮
	2018-07-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310007063.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：步骤a，在衬底上形成硬掩模；步骤b，各向异性刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片；步骤c，湿法腐蚀鳍片以及下方衬底，在第一沟槽侧面形成第二沟槽；其中，多次重复步骤b至步骤c，形成上下层叠的多个鳍片；步骤d，圆润化鳍片，形成堆叠纳米线。依照本发明的堆叠纳米线制造方法，结合了干法刻蚀与湿法刻蚀，利用双重内切腐蚀形成了高精度堆叠纳米线，有利于器件小型化，降低了成本。
公开日期	2014-07-09
申请日期	2013-01-09
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18812]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,马小龙,秦长亮. 堆叠纳米线制造方法. CN201310007063.5. 2018-07-27.