一种脊波导电极开窗的方法
曲迪; 白国人; 陈墨; 靳春艳; 宋学颍
2018-11-20
著作权人华慧芯科技(天津)有限公司
专利号CN108847574A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种脊波导电极开窗的方法
英文摘要本发明公开了一种脊波导电极开窗的方法,包括:步骤:S1、对晶元上沉积的波导层进行刻蚀,形成脊波导结构及脊波导结构两侧的结构;S2、在脊波导结构及脊波导结构两侧结构的上表面生成电解质绝缘层;S3、在电解质绝缘层上涂覆下光刻胶,该下光刻胶的上表面高出脊波导结构的上表面;S4、在下光刻胶的上表面沉积金属介质层;S5、在金属介质层的上表面旋涂上光刻胶,利用掩膜版对脊波导结构上方的上光刻胶进行曝光和显影;S6、去除脊波导结构上方的金属介质层;S7、干法刻蚀去除上光刻胶和下光刻胶层;S8、去除脊波导结构上方的电解质绝缘层;S9、通过lift‑off工艺,去除电解质绝缘层上方的下光刻胶及金属介质层。
公开日期2018-11-20
申请日期2018-06-26
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92276]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华慧芯科技(天津)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
曲迪,白国人,陈墨,等. 一种脊波导电极开窗的方法. CN108847574A. 2018-11-20.
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