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A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Simulation and practice of particle inertial focusing in 3D-printed serpentine microfluidic chips via commercial 3D-printers
期刊论文
SOFT MATTER, 2020, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 3096-3105
作者:
Yin, Pengju
;
Zhao, Lei
;
Chen, Zezhou
;
Jiao, Zhiqiang
;
Shi, Hongyan
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2020/06/22
Short Communication: An Updated Design to Implement Artificial Neuron Synaptic Behaviors in One Device with a Control Gate
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOMEDICINE, 2020, 卷号: 15, 页码: 6239-6245
作者:
Qi, Shaocheng
;
Hu, Yongbin
;
Dai, Chaoqi
;
Chen, Peiqin
;
Wu, Zhendong
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/12/16
THIN-FILM TRANSISTORS
CIRCUITS
LOGIC
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29
作者:
Bi, KX
;
Liu, HZ
;
Chen, YQ
;
Luo, F
;
Shu, ZW
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
short channel devices
hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists
large area preparation
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29
作者:
Bi, KX
;
Liu, HZ
;
Chen, YQ
;
Luo, F
;
Shu, ZW
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/17
short channel devices
hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists
large area preparation
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20 nm.
期刊论文
Nanotechnology, 2019
作者:
Kaixi Bi
;
Huaizhi Liu
;
Yiqin Chen
;
Fang Luo
;
Zhiwen Shu
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/17
hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists
large area preparation
short chaneel devices
Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776
作者:
Hongguan Yang
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/13
Logic
gates
Threshold
voltage
Silicon
MOSFET
Transconductance
Nanoscale
devices
Double-layer
gate
structure
MOS
devices
short-channel
effect
silicon
nanowire
(Si-NW)
threshold
voltage
characteristics
Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776
作者:
Yang, HG
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/17
Double-layer gate structure
MOS devices
short-channel effect
silicon nanowire (Si-NW)
threshold voltage characteristics
研究表明更可靠的碳基微电子技术可以解决水问题
科技动态
2018
作者:
yaoxn@llas.ac.cn
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/07/05
High-Performance Visible-Blind Ultraviolet Photodetector Based on IGZO TFT Coupled with p-n Heterojunction
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 8102-8109
作者:
Yu, Jingjing
;
Javaid, Kashif
;
Liang, Lingyan
;
Wu, Weihua
;
Liang, Yu
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/12/04
Thin-film
Uv Photodetectors
Layer
Zno
Phototransistors
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