QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29 作者:  Bi, KX;  Liu, HZ;  Chen, YQ;  Luo, F;  Shu, ZW 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 short channel devices  hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation   Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29 作者:  Bi, KX;  Liu, HZ;  Chen, YQ;  Luo, F;  Shu, ZW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/17 short channel devices  hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation   Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20 nm. 期刊论文 Nanotechnology, 2019 作者:  Kaixi Bi;  Huaizhi Liu;  Yiqin Chen;  Fang Luo;  Zhiwen Shu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/17 hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation  short chaneel devices   Electron beam lithography of HSQ/PMMA bilayer resists for negative tone lift-off process 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 5-6, 页码: 814 Yang, HF; Jin, AZ; Luo, Q; Li, JJ; Gu, CZ; Cui, Z 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/09/17 HYDROGEN SILSESQUIOXANE  CONTRAST  STACK