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| 基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法 专利
专利号: 201611068958.X, 申请日期: 2019-10-22,
作者: 刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛
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| 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 专利
专利号: 201610818729.9, 申请日期: 2019-10-22,
作者: 姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2021/03/01 |
| 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 韩五月
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/09/23
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| 一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法 专利
专利号: 201310495473.9, 申请日期: 2017-08-08,
作者: 潘革波; 胡立峰; 邓凤祥; 赵宇; 肖燕
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/02/28 |
| GaN基紫外探测器读出电路注入效率 期刊论文
红外与激光工程, 2017, 期号: 11, 页码: 171-176
作者: 马丁; 刘福浩; 李向阳; 张燕
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2018/11/20
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| 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文
半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501
作者: 黄波; 许金通; 王玲; 张燕; 李向阳
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2018/11/20
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| 一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法 专利
申请日期: 2017-01-01,
作者: 沈悦[1]; 张宗坤[2]; 徐宇豪[3]; 沈意斌[4]; 黄健[5]
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/04/24 |
| GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李晓静
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2016/06/02 |
| 提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究 学位论文
2016, 2014
李晓莹
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
收藏 | 浏览/下载：78/0 | 提交时间：2016/04/11
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