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	基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
	刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛
	2019-10-22
著作权人	刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛
专利号	201611068958.X
国家	中国
文献子类	发明专利
内容类型	专利
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/158448]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛. 基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法. 201611068958.X. 2019-10-22.

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