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	基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
	姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生
	2019-10-22
著作权人	姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生
专利号	201610818729.9
国家	中国
文献子类	发明专利
内容类型	专利
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/158450]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生. 基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法. 201610818729.9. 2019-10-22.

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