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垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利号: CN110071424A, 申请日期: 2019-07-30, 公开日期: 2019-07-30
作者:  郭炳磊;  王群;  葛永晖;  吕蒙普;  胡加辉
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一种电流导引型VCSEL 专利
专利号: CN208272356U, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
作者:  王智勇;  周广正;  李颖;  兰天
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一种电流导引型VCSEL及其制备方法 专利
专利号: CN108539577A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者:  王智勇;  周广正;  李颖;  兰天
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High-Throughput Study of the Electronic Structure and Physical Properties of Short-Period (GaAs)(m)(AlAs)(n) (m, n <= 10) Superlattices Based on Density Functional Theory Calculations 期刊论文
NANOMATERIALS, 2018
作者:  Yi, Jian-Hong;  Liu, Qing-Lu;  Zhao, Zong-Yan;  Zhang, Zi-Yang(张子旸)
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/03/27
Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:  Zheng, Wei-Min;  Cong, Wei-Yan;  Li, Su-Mei;  Wang, Ai-Fang;  Li, Bin
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11
Raman spectrum study of δ-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 期号: 01, 页码: 518-523
作者:  Zheng WM(郑卫民);  Cong WY(丛伟艳);  Li SM(李素梅);  Wang AF(王爱芳);  Li B(李斌)
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Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:  Zheng, Wei-Min;  Cong, Wei-Yan;  Li, Su-Mei;  Wang, Ai-Fang;  Li, Bin
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11
A comprehensive evaluation of factors that influence the spin polarization of electrons emitted from bulk GaAs photocathodes 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 页码: 9
作者:  Poelker, Matt;  Zhang, Shukui;  Stutzman, Marcy;  Liu, Wei;  Peng, Xincun
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面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 专利
专利号: JP2016213486A, 申请日期: 2016-12-15, 公开日期: 2016-12-15
作者:  近藤 崇
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Effects of Ultrathin AlAs Interfacial Layer on Photoluminescence Properties of GaInP Epilayer Grown on Ge 期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 1
作者:  Chen, JX(陈俊霞);  He, W;  Jia, SP;  Jiang, DS;  Lu, SL(陆书龙)
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