| 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
| 近藤 崇 | |
| 2016-12-15 | |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 专利号 | JP2016213486A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
| 英文摘要 | 【課題】信頼性の高い長共振器の面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】長共振器の面発光型半導体レーザ(VCSEL)10は、半絶縁性のi型のGaAs基板100と、半絶縁性のi型のAlGaAsから成る下部DBR102と、半絶縁性のi型のAlGaAs層110と、n型のGaInPからなるコンタクト層112と、活性領域114と、p型のAlAsからなる電流狭窄層120と、p型のAlGaAsからなる上部DBR106と、メサMの頂部に形成されたp側電極130と、メサMの底部で露出されたコンタクト層112に電気的に接続されたn側電極140とを有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2016-12-15 |
| 申请日期 | 2016-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 崇. 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置. JP2016213486A. 2016-12-15. |
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