| 一种电流导引型VCSEL及其制备方法 | |
| 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天 | |
| 2018-09-14 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN108539577A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种电流导引型VCSEL及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种电流导引型VCSEL及其制备方法，属于半导体技术领域。所述的VCSEL包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层、一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、质子注入栅格结构、二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层、n面电极和p面电极。所述的质子注入栅格结构包含3‑5对DBR厚度，既能提供有效的电流和增益限制，又能很好的控制质子注入深度；质子注入栅格宽度由中心向两边递减，整体光增益分布与单横模高斯分布相匹配，实现稳定地单横模激射。 |
| 公开日期 | 2018-09-14 |
| 申请日期 | 2018-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,周广正,李颖,等. 一种电流导引型VCSEL及其制备方法. CN108539577A. 2018-09-14. |
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