| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
| 郭炳磊; 王群; 葛永晖; 吕蒙普; 胡加辉; 李鹏 | |
| 2019-07-30 | |
| 著作权人 | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 专利号 | CN110071424A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极，所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对；所述下反射层采用GaAs/AlAs超晶格结构或者AlGaAs/AlGaAs超晶格结构，所述下反射层中插入有至少一层呈阵列分布的Ag岛状结构；当所述Ag岛状结构的层数为2层以上时，多层所述Ag岛状结构间隔插入在所述下反射层中。本发明可提高出光效率。 |
| 公开日期 | 2019-07-30 |
| 申请日期 | 2019-03-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72536]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭炳磊,王群,葛永晖,等. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN110071424A. 2019-07-30. |
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