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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂 期刊论文 半导体技术, 2019, 页码: 189-193 作者:  郭春扬[1];  张瑞英[2];  刘纪湾[3];  王林军[4] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/22 InGaAsP  多量子阱(MQW)  量子阱混杂(QWI)  Cu/SiO_2  快速热退火  蓝移   集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器及制备方法 专利 专利号: CN103956652B, 申请日期: 2018-08-31, 公开日期: 2018-08-31 作者:  唐松;  李连艳;  陈向飞 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法 专利 专利号: CN1937335A, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2007-03-28 作者:  赵玲娟;  张靖;  王圩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 制造光学器件的方法以及相关的改进 专利 专利号: CN1488163A, 申请日期: 2004-04-07, 公开日期: 2004-04-07 作者:  克雷格・J・汉密尔顿;  奥利克・P・科沃尔斯基;  约翰・H・马什;  斯图尔特・D・麦克杜格尔 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18