| Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂 | |
| 郭春扬[1]; 张瑞英[2]; 刘纪湾[3]; 王林军[4] | |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 2019 | |
| 页码 | 189-193 |
| 关键词 | InGaAsP 多量子阱(MQW) 量子阱混杂(QWI) Cu/SiO_2 快速热退火 蓝移 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2163271 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 1.上海大学材料科学与工程学院 2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭春扬[1],张瑞英[2],刘纪湾[3],等. Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂[J]. 半导体技术,2019:189-193. |
| APA | 郭春扬[1],张瑞英[2],刘纪湾[3],&王林军[4].(2019).Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂.半导体技术,189-193. |
| MLA | 郭春扬[1],et al."Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂".半导体技术 (2019):189-193. |
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