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A 1.6-m widely tunable distributed Bragg reflector laser diode based on InGaAs/InGaAsP quantum-wells material 期刊论文
OPTICS COMMUNICATIONS, 2021, 卷号: 497, 页码: 127201
作者:  Yu, Hongyan;   Wang, Mengqi;   Zhou, Daibing;   Zhou, Xuliang;   Wang, Pengfei;   Liang, Song;   Zhang, Yejin;   Pan, Jiaoqing;   Wang, Wei
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Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell 期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 1-7
作者:  Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1 ];  Aierken, A (Aierken, A.)[ 1,2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 1,3 ];  Tan, M (Tan, M.)[ 4 ];  Wu, YY (Wu, Y. Y.)[ 4 ]
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A10 Gb/s 1.5 μm Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 064201
作者:  Dai-Bing Zhou ;   Song Liang;   Yi-Ming He ;   Yun-Long Liu ;   Wu Zhao ;   Dan Lu ;   Ling-Juan Zhao ;   Wei Wang
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2021/06/17
一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法 专利
专利号: CN107248697B, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者:  苏辉;  薛正群;  黄章挺;  吴林福生
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一种边射型半导体激光器芯片结构 专利
专利号: CN209233160U, 申请日期: 2019-08-09, 公开日期: 2019-08-09
作者:  师宇晨;  王兴;  罗俊岗;  张西璐;  刘虎强
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一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06
作者:  薛贤铨
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2019/12/30
一种DFB半导体激光器芯片 专利
专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者:  薛正群;  吴林福生;  杨重英;  陆绿;  苏辉
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/12/30
基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 专利
专利号: CN107809059B, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者:  张明江;  王安帮;  牛亚楠;  张建忠;  赵彤
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InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  慎小宝
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一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层 专利
专利号: CN106300013B, 申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
作者:  李鸿建
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