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A 1.6-m widely tunable distributed Bragg reflector laser diode based on InGaAs/InGaAsP quantum-wells material
期刊论文
OPTICS COMMUNICATIONS, 2021, 卷号: 497, 页码: 127201
作者:
Yu, Hongyan
;
Wang, Mengqi
;
Zhou, Daibing
;
Zhou, Xuliang
;
Wang, Pengfei
;
Liang, Song
;
Zhang, Yejin
;
Pan, Jiaoqing
;
Wang, Wei
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2022/03/28
Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 1-7
作者:
Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1,2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 1,3 ]
;
Tan, M (Tan, M.)[ 4 ]
;
Wu, YY (Wu, Y. Y.)[ 4 ]
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2020/04/21
InGaAsP/InGaAs solar cell
Electron and proton irradiation
Degradation
Equivalent displacement damage dose model
A10 Gb/s 1.5 μm Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 064201
作者:
Dai-Bing Zhou
;
Song Liang
;
Yi-Ming He
;
Yun-Long Liu
;
Wu Zhao
;
Dan Lu
;
Ling-Juan Zhao
;
Wei Wang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/06/17
一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法
专利
专利号: CN107248697B, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者:
苏辉
;
薛正群
;
黄章挺
;
吴林福生
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/12/24
一种边射型半导体激光器芯片结构
专利
专利号: CN209233160U, 申请日期: 2019-08-09, 公开日期: 2019-08-09
作者:
师宇晨
;
王兴
;
罗俊岗
;
张西璐
;
刘虎强
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/24
一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法
专利
专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06
作者:
薛贤铨
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/12/30
一种DFB半导体激光器芯片
专利
专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者:
薛正群
;
吴林福生
;
杨重英
;
陆绿
;
苏辉
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/12/30
基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
专利
专利号: CN107809059B, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者:
张明江
;
王安帮
;
牛亚楠
;
张建忠
;
赵彤
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/12/24
InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
慎小宝
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/07/15
In0.53Ga0.47As单结太阳电池
高注量电子
低能质子
位移损伤
退火效应
一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层
专利
专利号: CN106300013B, 申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
作者:
李鸿建
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提交时间:2019/12/26
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