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| Cu/SiO_2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂 期刊论文
半导体技术, 2019, 页码: 189-193
作者: 郭春扬[1]; 张瑞英[2]; 刘纪湾[3]; 王林军[4]
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| 一种VCSEL阵列芯片及制作方法 专利
专利号: CN108879325A, 申请日期: 2018-11-23, 公开日期: 2018-11-23
作者: 贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种整片制作和测试边发射光器件的方法 专利
专利号: CN108718032A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者: 朱洪亮; 黄永光
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 专利
专利号: CN108242763A, 申请日期: 2018-07-03, 公开日期: 2018-07-03
作者: 黄永光; 张瑞康; 王宝军; 朱洪亮
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 具有多量子阱结构的半导体激光二极管 专利
专利号: CN108011295A, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2018-05-08
作者: 小河直毅
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| MOCVD生长高质量InGaN/AlGaN MQW紫光LED的研究 期刊论文
科技视界, 2018, 页码: 177-178
作者: 唐健江; 刘波波; 杨建锋; 白俊春
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| 深紫外LED的PTL型AlGaN基多量子阱结构的研究 学位论文
2016, 2015
包翔龙
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/06/20
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| GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究 期刊论文
2015
蔡晓梅; 张江勇; 吕雪芹; 应磊莹; 张保平
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN103311805B, 申请日期: 2015-09-02, 公开日期: 2015-09-02
作者: 原敬
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN103311805B, 申请日期: 2015-09-02, 公开日期: 2015-09-02
作者: 原敬
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/26 |
