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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 极紫外光刻掩模缺陷检测系统 专利 专利号: CN201210104156.5, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2013-10-23 作者:  李海亮;  谢常青;  刘明;  李冬梅;  牛洁斌 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/09/12 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法 专利 专利号: CN200810116381.4, 申请日期: 2012-03-21, 公开日期: 2010-01-13 作者:  陈宝钦;  刘明;  赵珉;  朱效立 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 晶圆检测方法以及晶圆检测装置 专利 申请日期: 2011-09-23, 公开日期: 2012-11-20 作者:  陈鲁 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/20 一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置 专利 专利号: CN103018202A, 申请日期: 2011-09-22, 公开日期: 2012-11-20, 2013-04-03 作者:  陈鲁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2012/11/20 晶圆颗粒检测方法 专利 申请日期: 2011-06-16, 公开日期: 2012-11-20 作者:  陈鲁 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/20 凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 5，2326-2330 作者:  刘果果;  黄俊;  魏珂;  刘新宇;  和致经 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/27 Gan  干法刻蚀  栅漏电 退火  N空位  半导体器件