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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利号: CN106785911B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法 专利
专利号: CN107248697B, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者: 苏辉; 薛正群; 黄章挺; 吴林福生
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| 一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法 专利
专利号: CN110165551A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
作者: 尚林; 许并社; 马淑芳; 单恒升; 郝晓东
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| 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利
专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者: 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐
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| 高功率红光半导体激光器光束质量控制的研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 孟雪
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