凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应

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	凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应
	刘果果; 黄俊; 魏珂; 刘新宇; 和致经
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:12 页码:5，2326-2330
关键词	Gan 干法刻蚀栅漏电退火 N空位半导体器件
ISSN号	0253-4177
英文摘要	研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电,用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面，发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位，导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型，N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大，反向漏电增大，肖特基势垒降低．介绍了一种AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理方法，优化退火条件为400℃，N2氛围退火10min．退火后，栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷，器件肖特基反向漏电减小三个量级，正向开启电压升高，理想因子从3．07降低到了2．08．
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1778]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘果果,黄俊,魏珂,等. 凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应[J]. 半导体学报,2008,29(12):5，2326-2330.
APA	刘果果,黄俊,魏珂,刘新宇,&和致经.(2008).凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应.半导体学报,29(12),5，2326-2330.
MLA	刘果果,et al."凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应".半导体学报 29.12(2008):5，2326-2330.