在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法

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	在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法
	陈宝钦; 刘明; 赵珉; 朱效立
	2012-03-21
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810116381.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法，包括：A.对衬底进行表面清洁及热处理；B.在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层；C.对涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘；D.对HSQ厚胶层进行密集图形的电子束直写曝光；E.显影的准备工作及实施显影；F.定影及干燥；G. 进行后续的图形转移工艺。利用本发明，抑制了背散射效应对低灵敏度负性抗电子束蚀剂层上制作密集图形时尤为严重的邻近效应的影响，并且避免由于抗蚀剂层应力、缺陷，以及显影气泡等因素造成的光刻图形漂移或倒塌的现象，使得利用负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ制作密集图形的厚胶工艺实用化。
公开日期	2010-01-13
申请日期	2008-07-09
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7516]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈宝钦,刘明,赵珉,等. 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法. CN200810116381.4. 2012-03-21.