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半导体研究所 [6]
兰州大学 [1]
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High-quality homoepitaxial layers grown on4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 43005
Wu, Hailei
;
Sun, Guosheng
;
Yang, Ting
;
Yan, Guoguo
;
Wang, Lei
;
Zhao, Wanshun
;
Liu, Xingfang
;
Zeng, Yiping
;
Wen, Jialiang
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/06/14
Epitaxial growth
Ethylene
Growth rate
Morphology
Surface roughness
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:103/26
  |  
提交时间:2010/03/29
homoepitaxy
4H-SiC
multi-epilayer
UV detection
p(+)-pi-n(-)
ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR
EPITAXIAL-GROWTH
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940
作者:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵万顺
;
王雷
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
碳化硅
化学气相沉积
原子力显微镜
Raman
光致发光
Cold wall chemical vapor deposition
Epilayer
Homoepitaxial growth
Nomarski microscopy
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:206/60
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
LPCVD homoepitaxial growth
thermal oxidization
MOS structures
HOT-WALL CVD
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 816-819
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:79/6
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
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