水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜

	水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
	高欣; 孙国胜; 李晋闽; 赵万顺; 王雷; 张永兴; 曾一平
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2005-05-08
卷号	26 期号:5 页码:935-940
关键词	碳化硅化学气相沉积原子力显微镜 Raman 光致发光 Cold wall chemical vapor deposition Epilayer Homoepitaxial growth Nomarski microscopy
ISSN号	02534177
其他题名	4H-SiC homoepitaxial growth by horizontal cold-wall chemical vapor deposition
通讯作者	Gao, X. (gaoxin@red.semi.ac.cn)
中文摘要	采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5 3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8 4×1016 cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0 3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的.
学科主题	712.1 Semiconducting Materials;741.1 Light/Optics;802.3 Chemical Operations;804.2 Inorganic Compounds;933.1.2 Crystal Growth
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101436]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	高欣,孙国胜,李晋闽,等. 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5):935-940.
APA	高欣.,孙国胜.,李晋闽.,赵万顺.,王雷.,...&曾一平.(2005).水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,26(5),935-940.
MLA	高欣,et al."水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 26.5(2005):935-940.