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科研机构
半导体研究所 [4]
中国科学院大学 [1]
武汉大学 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
1999 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [2]
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Relaxation of compressive strain by inclining threading dislocations in Al0.45Ga0.55N epilayer grown on AlN/sapphire templates using graded-AlxGa1-xN/AlN multi-buffer layers
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 3
作者:
Liu, C.
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/05
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:103/26
  |  
提交时间:2010/03/29
homoepitaxy
4H-SiC
multi-epilayer
UV detection
p(+)-pi-n(-)
ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR
EPITAXIAL-GROWTH
Heteroepitaxy of cdte on tilting si(211) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 436-440
作者:
Wang, YZ
;
Chen, L
;
Wu, Y
;
Wu, J
;
Yu, MF
收藏
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/10
High resolution x-ray diffraction
Shear strain
Molecular beam epitaxy
Cdte
Si
Kinetic study of MOCVD III-V quaternary antimonides
期刊论文
rare metals, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 16-20
Peng RW
;
Wei GY
;
Wu W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
kinetic study
MOCVD
III-V
quaternary antimonide
photodetector
EPITAXIAL-GROWTH
Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides
会议论文
7th international conference on defect recognition and image processing in semiconductors (drip-vii), templin, germany, sep 07-10, 1997
Peng RW
;
Ding YQ
;
Xu CM
;
Wang XG
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides
期刊论文
defect recognition and image processing in semiconductors 1997, 1998, 卷号: 160, 期号: 0, 页码: 417-420
Peng RW
;
Ding YQ
;
Xu CM
;
Wang XG
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
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