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半导体研究所 [9]
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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
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浏览/下载：20/0
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提交时间：2016/05/31
InAsSb纳米线
生长机制
平面纳米线
纳米线阵列
金属有机化学气相沉积
MOCVD自催化生长InAs纳米线的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
王小耶
收藏
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浏览/下载：69/0
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提交时间：2015/05/27
InAs
InAs/GaSb
纳米线
MOCVD（金属有机化学气相沉积）
自催化
图形衬底
纳米线阵列
立式环栅
异质结纳米线
蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764
作者:
吴猛
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2012/07/16
带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器
期刊论文
中国激光, 2009, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 104-109
林涛
;
段玉鹏
;
郑凯
;
崇峰
;
马骁宇
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2010/11/23
259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 2335-2339
刘素平
;
仲莉
;
张海燕
;
王翠鸾
;
冯小明
;
马骁宇
收藏
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2010/11/23
用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1259-1263
作者:
王圩
;
潘教青
收藏
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2010/11/23
超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 261-266
作者:
王圩
;
潘教青
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2010/11/23
高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制
期刊论文
中国激光, 2005, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 161-163
作者:
韦欣
收藏
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浏览/下载：194/8
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提交时间：2010/11/23
新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 13-16
作者:
韩培德
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2010/11/23
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