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A study on repeatable and universal growth morphology optimization for nanowires grown on Si substrates
期刊论文
Vacuum, 2022, 卷号: 201
作者:
Wang, Xiaoye
;
Bai, Xue
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Yang, Tao
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提交时间:2022/06/20
Crystal defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Indium alloys
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Nanowires
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor alloys
Silicon
Substrates
Growth morphology
High-temperature annealing
Inas nanowire
Metal-organic chemical vapour depositions
Optimisations
Parasitic island
Parasitics
Si substrates
Substrate surface
Treatment methods
Controlled growth of two-dimensional InAs single crystals via van der Waals epitaxy
期刊论文
NANO RESEARCH, 2022, 页码: 6
作者:
Dai, Jiuxiang
;
Yang, Teng
;
Jin, Zhitong
;
Zhong, Yunlei
;
Hu, Xianyu
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/07/14
two-dimensional materials
van der Waals epitaxy
indium arsenide
nonlayered material
Semiconductor saturable absorber mirror in the 3-5 mu m mid-infrared region
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2022, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 890-893
作者:
Qin, Zhipeng
;
Chai, Xuliang
;
Xie, Guoqiang
;
Xu, Zhicheng
;
Zhou, Yi
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2022/04/11
Wave mixing efficiency in InAs/GaAs semiconductor quantum dot optical amplifiers and lasers
期刊论文
Laser Physics Letters, 2022, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 6
作者:
T. Renaud
;
H. M. Huang
;
F. Grillot and D. Bimberg
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提交时间:2023/06/14
Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者:
J. Z. Liu
;
M. C. Tang
;
H. W. Deng
;
S. Shutts
;
L. F. Wang
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提交时间:2023/06/14
InAs/InGaAs和GaAs/AlGaAs单个量子点的自旋噪声谱研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
孙天娇
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/12/17
低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
周媛
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2021/06/18
Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/03/29
Ambipolar Transport
Field-effect Transistors
Ingaas Nanowires
Cmos-compatible Catalyst
Surface State
Near-infrared Photodetection
Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Avalanche Photodiode With AlAsSb Multiplication Layer
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 1634-1637
作者:
Yan, Shaolong
;
Huang, Jianliang
;
Zhang, Yanhua
;
Ma, Wenquan
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/03/28
Mid-/Short-Wave dual-band infrared detector based on InAs/GaSb superlattice/GaSb bulk materials
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2021, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 569-575
作者:
Ma Xiao-Le
;
Guo Jie
;
Hao Rui-Ting
;
Wei Guo-Shuai
;
Wang Guo-Wei
;
Xu Ying-Qiang
;
Niu Zhi-Chuan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2022/03/28
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