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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [13]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [1]
2003 [2]
2002 [4]
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学科主题
半导体物理 [15]
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共15条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Time-Resolved Photoluminescence of Metamorphic InGaAs Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107803
Ma SS (Ma Shan-Shan)
;
Wang, BR (Wang Bao-Rui)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Wu DH (Wu Dong-Hai)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:182/72
  |  
提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Low-energy exciton states in a ZnO cylindrical nanodisk
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: art. no. 094310
Xiong, W
;
Li, SS
收藏
  |  
浏览/下载:110/3
  |  
提交时间:2010/03/08
CONFINEMENT
NANOSTRUCTURES
Exciton localization due to isoelectronic substitution in ZnSTe
期刊论文
journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 402-404
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/03/29
PRESSURE
Rapid photoluminescence quenching in GaInNAs quantum wells at low temperature
期刊论文
journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 188-190
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/03/29
GaInNAs/GaAs
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
收藏
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浏览/下载:182/36
  |  
提交时间:2010/03/29
GaInNAs/GaAs quantum wells
optical properties
nonradiative recombination effect
time-resolved photoluminescence
PL decay dynamics
PL thermal quenching
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
EXCITATION
A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS
;
Dong X
;
Lu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:265/14
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
MOCVD
localized exitons
quantum dots
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
GAN
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292
Wan SP
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
piezoelectricity
optical properties
OPTICAL-ABSORPTION
GAN
HETEROSTRUCTURES
SPECTROSCOPY
CONSTANTS
ENERGIES
LIFETIME
SPECTRA
FIELDS
INN
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/10/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
BAND
Anomalous temperature dependence of photoluminescence from a-C : H film deposited by energetic hydrocarbon ion beam
期刊论文
solid state communications, 2002, 卷号: 121, 期号: 5, 页码: 287-290
Liao MY
;
Feng ZH
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Liu ZK
;
Yang JL
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:84/8
  |  
提交时间:2010/08/12
luminescence
semiconductors
ion-beam deposition
OPTICAL-PROPERTIES
A-SI1-XCX-H FILMS
POROUS SILICON
NANOCRYSTALS
LUMINESCENCE
MECHANISM
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