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| Structural and compositional analysis of (InGa) (AsSb)/GaAs/GaP Stranski-Krastanov quantum dots 期刊论文
Light-Science & Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 13
作者: R. S. R. Gajjela; A. L. Hendriks; J. O. Douglas; E. M. Sala; P. Steindl
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| 一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法 专利
专利号: CN109038220A, 申请日期: 2018-12-18, 公开日期: 2018-12-18
作者: 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 曲轶
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| 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
作者: 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵
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| 一种半导体光放大器 专利
专利号: CN106785915A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 张晶
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| Piezomodulated and photomodulated reflectivity study of strained InxGa1–xAs/GaAs single quantum well 期刊论文
Physics Letters A, 2006, 卷号: 350
作者: C. Wang; P.P. Chen; N.Y. Tang; C.S. Xia; X.S. Chen
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| Recombination lifetime of InxGa1−xAs ternary alloys 会议论文
1st NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity
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| 光半導体装置および製造方法 专利
专利号: JP1993267791A, 申请日期: 1993-10-15, 公开日期: 1993-10-15
作者: 足立 秀人; 松田 賢一; 柴田 淳
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