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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [3]
2008 [3]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [2]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.68502
Wu M
;
Zeng YP
;
Wang JX
;
Hu Q
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
LIGHT-EMITTING-DIODES
ULTRAVIOLET
GROWTH
Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 142-145
作者:
Li Yan
;
Zhang Jiayong
;
Fan Zhongchao
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates
期刊论文
applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668
Gao HY
;
Yan FW
;
Zhang Y
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Wang JX
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浏览/下载:165/24
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提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
MOCVD
Nano-patterned
The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:55/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-AFFINITY
Fabrication of nano-patterned sapphire substrates and their application to the improvement of the performance of GaN-based LEDs
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115106
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
收藏
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浏览/下载:65/1
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
EFFICIENCY
Magnetic resonant cavity composing of a three layered plasmonic nanostructure
会议论文
international workshop on metamaterials, nanjing, peoples r china, nov 09-12, 2008
Chen JJ
;
Fan ZC
;
Yang FH
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
Magnetic resonant
Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
收藏
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浏览/下载:58/4
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提交时间:2010/03/08
InGaN/GaN multiple quantum wells
light-emitting diode
wet etching
inductively coupled plasma etching
Growth of aligned single-walled carbon nanotubes under ac electric fields through floating catalyst chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 10, 页码: 2068-2076
作者:
Tan PH
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浏览/下载:153/16
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提交时间:2010/03/17
carbon nanotube
Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
Shen XM
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
scanning electron microscopy
X-ray diffraction
Metalorganic vapor phase epitaxy
selective area growth
gallium nitride
CUBIC GAN
OVERGROWN GAN
DEPOSITION
GAAS(100)
Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76
作者:
Li DB
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
dislocation
strain
molecular beam epitaxy
organometallic vapor phase epitaxy
semiconductor III-V materials
CRITICAL THICKNESS
HETEROEPITAXIAL GROWTH
LAYERS
OXIDATION
EPITAXY
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