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Enhancing diamond NV center density in HPHT substrate and epitaxy lateral overgrowth layer by tungsten pattern 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2019, 卷号: 240, 页码: 233-237
作者:  Liu, Zongchen;  Fu, Jiao;  Liu, Zhangcheng;  Wang, Yanfeng;  Fan, Shuwei
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Fabrication of microchannels in single crystal diamond for microfluidic systems 期刊论文
MICROFLUIDICS AND NANOFLUIDICS, 2018, 卷号: 22
作者:  Fu, Jiao;  Liu, Zongchen;  Zhu, Tianfei;  Zhang, Minghui;  Zhang, Xiaofan
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26
Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth 期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2018, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1705-1710
作者:  Yang, Xianglong;  Chen, Xiufang;  Peng, Yan;  Hu, Xiaobo;  Xu, Xiangang
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11
Fabrication of Low Dislocation Density, Single-Crystalline Diamond via Two-Step Epitaxial Lateral Overgrowth 期刊论文
CRYSTALS, 2017, 卷号: 7
作者:  Li, Fengnan;  Zhang, Jingwen;  Wang, Xiaoliang;  Zhang, Minghui;  Wang, Hongxing
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26
Single-step-grown transversely coupled distributed feedback laser 专利
专利号: US9350138, 申请日期: 2016-05-24, 公开日期: 2016-05-24
作者:  GUBENKO, ALEXEY;  LIVSHITS, DANIIL;  MIKHRIN, SERGEY;  KRESTNIKOV, IGOR
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission 期刊论文
ieee photonics journal, 2016, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 2300211
Xiang Chen; Jianchang Yan; Yun Zhang; Yingdong Tian; Yanan Guo; Shuo Zhang; Tongbo Wei; Junxi Wang; Jin Min Li
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/16
Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices 专利
专利号: US8785226, 申请日期: 2014-07-22, 公开日期: 2014-07-22
作者:  LEE, SEUNG CHANG;  BRUECK, STEVEN R. J.
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN 期刊论文
Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063
Liu X. T.; Li D. B.; Sun X. J.; Li Z. M.; Song H.; Jiang H.; Chen Y. R.
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Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array 专利
专利号: US8488643, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16
作者:  NAGATOMO, YASUHIRO;  KAWASHIMA, SHOICHI
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