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| リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2006086218A, 申请日期: 2006-03-30, 公开日期: 2006-03-30
作者: 大櫃 義徳; 橋本 隆宏; 辻井 宏行; 喜根井 聡文; 大島 昇
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3444812B2, 申请日期: 2003-06-27, 公开日期: 2003-09-08
作者: 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3270815B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-04-02
作者: 宮▲嵜▼ 啓介; 兼岩 進治
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3197050B2, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-08-13
作者: 兼岩 進治; 幡 俊雄; 細羽 弘之; 須山 尚宏; 近藤 雅文
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3183692B2, 申请日期: 2001-04-27, 公开日期: 2001-07-09
作者: ▲吉▼田 智彦; 須山 尚宏; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 細羽 弘之
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31
作者: 河西 秀典; 森本 泰司; 兼岩 進治; 林 寛; 宮内 伸幸
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3096419B2, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-10-10
作者: 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 細羽 弘之; 大林 健; 近藤 雅文
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3075512B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者: 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2000138421A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者: 兼岩 進治
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3038186B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-05-08
作者: 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広
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