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	リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
	大櫃 義徳; 橋本 隆宏; 辻井 宏行; 喜根井 聡文; 大島 昇; 太田 将之; 兼岩 進治
	2006-03-30
著作权人	シャープ株式会社
专利号	JP2006086218A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
英文摘要	【課題】水平横モードのファー·フィールド·パターンにピーク部分以外の激しい凹凸がなく、従って、安定なAPC駆動が可能で、しかも、製造コストの増大を抑制可能なリッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】少なくともN型クラッド層103、活性層104、P型クラッド層105、及び、リッジ部107が積層されて形成されると共に、該リッジ部107の側面及びP型クラッド層105の上面が、絶縁膜108で覆われたリッジ型半導体レーザ素子100を、上記絶縁膜108として、屈折率が上記P型クラッド層105の屈折率より小さく、且つ、該屈折率と、上記P型クラッド層105の屈折率との差が1以内である絶縁膜を用いて構成する。 【選択図】図1
公开日期	2006-03-30
申请日期	2004-09-14
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67886]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大櫃 義徳,橋本 隆宏,辻井 宏行,等. リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2006086218A. 2006-03-30.

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