| 半導体レーザ素子 | |
| 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 細羽 弘之; 大林 健; 近藤 雅文; 兼岩 進治; 幡 俊雄 | |
| 2000-08-04 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3096419B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の内部に吸収損失のきわめて低い屈折率導波路を形成する。 【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、及び、保護層がこの順で形成され、該保護層上に、少なくとも、リッジストライプ状の第3クラッド層が形成され、該第3クラッド層両側面に埋込層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記保護層は、その屈折率が前記活性層より大きく、且つ、その厚さが、該保護層の実質的なバンドギャップが前記活性層のバンドギャップと比べ大きいか、又はほぼ同等になるよう設定する。 |
| 公开日期 | 2000-10-10 |
| 申请日期 | 1992-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須山 尚宏,▲吉▼田 智彦,細羽 弘之,等. 半導体レーザ素子. JP3096419B2. 2000-08-04. |
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