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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Radiation-Hardened 14T SRAM Bitcell With Speed and Power Optimized for Space Application 期刊论文 IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2019, 卷号: Vol.27 No.2, 页码: 407-415 作者:  Changyong Liu;  Xiulong Wu;  Zhiting Lin;  Junning Chen;  Jiati Huang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/24 A dual-output hardening design of inverter chain for P-hit single-event transient pulse elimination 期刊论文 IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 卷号: Vol.15 No.15 作者:  Li, Xuan;  Chen, Ziyang;  Zeng, Xuan;  Lin, Zhiting;  Liu, Changyong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/24 inverter chain  P-hit  single-event transient   A dual-output hardening design of inverter chain for P-hit single-event transient pulse elimination 期刊论文 IEICE Electronics Express, 2018, 卷号: Vol.15 No.15 作者:  Li, Xuan;  Chen, Ziyang;  Zeng, Xuan;  Lin, Zhiting;  Liu, Changyong 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/24 A Dual-Output Hardening Design of Inverter Chain for P-hit Single-Event Transient Pulse Elimination 期刊论文 IEICE Electron. Express, 2018 作者:  Li Xuan;  Chen Ziyang;  Wu Xiulong;  Zhao Qiang;  Liu Changyong 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/24 inverter  chain  P-hit  single-event  transient   Pressure-Induced Metallization and Robust Superconductivity in Pristine 1T-SnSe2 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2018, 卷号: Vol.4 No.8 作者:  Cai, Kaiming;  Yuan, Yifang;  Chen, Chunhua;  Zhou, Yonghui;  An, Chao 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/24 A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell 期刊论文 IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 卷号: Vol.14 No.18 作者:  Liu,Changyong;  Zhang,Jingbo;  Chen,Ziyang;  Peng,Chunyu;  Lin,Zhiting 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/22 LATCH DESIGN  TOLERANT  TECHNOLOGY  UPSET  SEU   A Pipeline Replica Bitline Technique for Suppressing Timing Variation of SRAM Sense Amplifiers in a 28-nm CMOS Process 期刊论文 IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2017, 卷号: Vol.52 No.3, 页码: 669-677 作者:  Liu,Changyong;  Guan,Lijun;  Chen,Junning;  Li,Zhi;  Peng,Chunyu 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 DESIGN   Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: Vol.667, 页码: 352-358 作者:  Sun,Zhaoqi;  Liu,Mao;  Chen,Hanshuang;  Gao,Juan;  Xiao,Dongqi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 TEMPERATURE-DEPENDENCE  LEAKAGE CURRENT  DIELECTRICS  OXIDE  FILMS  SI  CAPACITORS  THICKNESS   An Improved Phase Comparator for the Fast-Locking All Digital SARDLL 期刊论文 Applied Mechanics and Materials, 2013, 卷号: Vol.303-306, 页码: 1849-1853 作者:  Chen,Junning;  Xu,Tailong;  Lu,Shibin;  Pan,Hao;  Zheng,Changyong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 DELAY-LOCKED LOOP  ALGORITHM